<optgroup id="vveti"><sup id="vveti"></sup></optgroup>
      <input id="vveti"><ruby id="vveti"><address id="vveti"></address></ruby></input>

      <delect id="vveti"></delect>
    1. 查看: 4346|回復: 0
      打印 上一主題 下一主題

      場效應管NTMFS4C810NAT1G TRENCH 6 30V NCH

      [復制鏈接]
      跳轉到指定樓層
      樓主
      發表于 2022-11-16 13:16:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
      關鍵詞: NTMFS4C810NAT1G , 場效應管 , MOS
      型號:NTMFS4C810NAT1G
      產品種類:分立半導體產品 單 FET,MOSFET
      一般規格
      FET 類型:N 通道
      技術:MOSFET(金屬氧化物)
      漏源電壓(Vdss):30 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):8.2A(Ta),46A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.88 毫歐 @ 30A,10V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):18.6 nC @ 10 V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):987 pF @ 15 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):750mW(Ta),23.6W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
      封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
      場效應管NTMFS4C810NAT1G TRENCH 6 30V NCH,我們有貨在售,產品全新原裝,感興趣的商友歡迎聯系陳先生qq 1668527835 咨詢洽談!
      深圳市明佳達電子有限公司/深圳市星際金華實業有限公司

      您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

      本版積分規則

      關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
      電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
      快速回復 返回頂部 返回列表
      亚洲日韩女同一区二区三区_久久久久久精品免费毛片_欧美日韩中文国产一区_肉末茄子的做法教学视频

        
        <optgroup id="vveti"><sup id="vveti"></sup></optgroup>
        <input id="vveti"><ruby id="vveti"><address id="vveti"></address></ruby></input>

        <delect id="vveti"></delect>