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    1. 新品SCTL90N65G2V、SCTL35N65G2V(650V)碳化硅功率MOSFET

      發布時間:2023-6-28 17:42    發布者:Mindy—mjd
      關鍵詞: SCTL35N65G2V , SCTL90N65G2V , 650V , 碳化硅(SIC) , MOSFET
      深圳市明佳達電子/星際金華(回收、供應)SCTL90N65G2V、SCTL35N65G2V(650V)碳化硅功率MOSFET器件,如有需求,請聯系陳先生qq 1668527835 洽談。



      產品詳情:
      該碳化硅功率MOSFET將寬禁帶材料的先進性和可靠性引入到更廣泛的節能應用中,如用于電動/混合動力汽車、太陽能或風力發電、高效驅動器、電源和智能電網設備的逆變器。從650V到1700V的擴展電壓范圍使其具有出色的開關性能,以及極低的單位面積導通電阻RDS(on)性能指標,從而實現了更高效、更緊湊的系統。與硅MOSFET相比,SiC MOSFET的開關損耗更低,且隨溫度的變化更小。



      特性:
      汽車級 (AG) 設備
      超高溫處理能力(最大TJ=200°C)
      非常低的開關損耗(隨溫度變化最。,允許在超高開關頻率下工作
      溫度范圍內的低導通電阻
      易于驅動
      非?焖俸蛷姶蟮谋倔w二極管




      SCTL90N65G2V 器件規格:
      FET 類型:N 通道
      技術:SiCFET(碳化硅)
      漏源電壓(Vdss):650 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):40A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):24 歐姆 @ 40A,18V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):157 nC @ 18 V
      Vgs(最大值):+22V,-10V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3380 pF @ 400 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):935W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:PowerFlat™(8x8)HV
      封裝/外殼:8-PowerVDFN




      SCTL35N65G2V 技術參數:
      FET 類型:N 通道
      技術:SiCFET(碳化硅)
      漏源電壓(Vdss):650 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):40A(Tc)
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):67毫歐 @ 20A,20V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):73 nC @ 20 V
      Vgs(最大值):+22V,-10V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 400 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):417W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:PowerFlat™(8x8)HV
      封裝/外殼:8-PowerVDFN
      基本產品編號:SCTL35




      應用:
      太陽能逆變器,UPS
      電機驅動
      高壓DC-DC轉換器
      開關電源



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