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      N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅(SiC)MOSFET

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      發表于 2023-7-6 17:32:15 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
      關鍵詞: MOSFET , NTHL022N120M3S , NTBG014N120M3P , SIC碳化硅 , 分立半導體
      明佳達電子有限公司/星際金華(回收、供應)N 通道NTBG014N120M3P、NTHL022N120M3S 1200V碳化硅(SiC)MOSFET器件,如有需求,歡迎聯系陳先生qq 1668527835 咨詢詳談。



      1、NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3P平面SiC MOSFET系列的一部分。ON MOSFET優化用于電源應用。該平面技術可在柵極處于負柵極電壓驅動和關斷尖峰狀態下可靠工作。該系列在使用18V柵極驅動時具有最佳性能,但也可與15V柵極驅動配合使用。
      FET 類型:N 通道
      技術:SiCFET(碳化硅)
      漏源電壓(Vdss):1200 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):104A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):20 毫歐 @ 74A,18V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.63V @ 37mA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):337 nC @ 18 V
      Vgs(最大值):+22V,-10V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6313 pF @ 800 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):454W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:D2PAK-7

      2、NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET是一款1200V、M3S平面器件,針對快速開關應用進行了優化。平面技術可靠地與負柵極電壓驅動一起工作,并消除了柵極上的尖峰。該器件在使用18V柵極驅動器驅動時具有最佳性能,但也適用于15V柵極驅動器。NTHL022N120M3S采用TO-247-3L封裝,非常適合工業、UPS/ESS、太陽能和電動汽車充電器應用。
      FET 類型:N 通道
      技術:SiCFET(碳化硅)
      漏源電壓(Vdss):1200 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):68A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):30 毫歐 @ 40A, 18V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 20mA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):139 nC @ 18 V
      Vgs(最大值):+22V,-10V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3130 pF @ 800 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):352W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:通孔
      供應商器件封裝:TO-247-3


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