ROHM開發出EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積
發布時間：2023-7-19 20:16
發布者：eechina
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～通過替換現有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%～ ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。 
近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅動柵極用的驅動器結合使用。在這種市場背景下，ROHM結合所擅長的功率和模擬兩種核心技術優勢，開發出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為“下一代功率半導體”的GaN器件輕輕松松即可實現安裝。 新產品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下簡稱“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現更低損耗和更小體積。 新產品已于2023年6月開始量產（樣品價格4,000日元/個，不含稅）。另外，新產品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已開始網售，在Ameya360等電商平臺可購買。
＜產品陣容＞ 新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動時間快，因此支持一次側電源中的各種控制器IC。
＜應用示例＞ 適用于內置一次側電源（AC-DC或PFC電路）的各種應用。 消費電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調 工業設備：服務器、OA設備 ＜電商銷售信息＞ 電商平臺：Ameya360 產品和評估板在其他電商平臺也將逐步發售。 （開始銷售時間：2023年7月起） ·產品信息 產品型號： BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB ・評估板信息 評估板型號： BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W） BM3G007MUV-EVK-003 BM3G015MUV-EVK-003
＜什么是EcoGaN＞ EcoGaN是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。 ＜術語解說＞ *1) 一次側電源 在工業設備和消費電子等設備中，會通過變壓器等對電源和輸出單元進行隔離，以確保應用產品的安全性。在隔離部位的兩側，電源側稱為“一次側（初級）”，輸出側稱為“二次側（次級）”，一次側的電源部位稱為“一次側電源”。 *2) GaN HEMT GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si（硅）相比，具有更優異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應用開始采用這種材料。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。 *3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor） MOSFET是晶體管的一種，根據器件結構上的不同又可細分為DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產品。與DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現更出色，在處理大功率時損耗更小。 |
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