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    1. 碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性

      發布時間:2023-9-20 15:41    發布者:Eways-SiC
      關鍵詞: 碳化硅mos , 碳化硅半導體 , 車載OBC , 逆變器 , 變流器PCS
      碳化硅SiC MOSFE VdId 特性 碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性.pdf (3.26 MB)
      SiCMOSFET IGBT 不同,不存在開啟電壓,所以從小電流到大電流的寬電流范圍內都能夠實現低導通損耗。
      SiMOSFET 150時導通電阻上升為室溫條件下的2 倍以上,與SiMOSFET 不同,SiCMOSFET的上升率比較低,因此易于熱設計,且高溫下的導通電阻也很低。
      驅動門極電壓和導通電阻
      SiCMOSFET 的漂移層阻抗比SiMOSFET 低,但是另一方面,按照現在的技術水平,SiCMOSFETMOS 溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si 器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(Vgs=20V 以上則逐漸飽和)。如果使用一般IGBT SiMOSFET 使用的驅動電壓Vgs=1015V 的話,不能發揮出SiC 本來的低導通電阻的性能,所以為了得到充分的低導通電阻,推薦使用Vgs=18V 左右進行驅動。Vgs=13V 以下的話,有可能發生熱失控,請注意不要使用。

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      Eways-SiC 發表于 2023-11-2 16:09:51
      SiC MOSFET柵極驅動器示例 -  http://www.kongutransport.com/thread-838162-1-1.html
      Eways-SiC 發表于 2023-11-27 17:23:17
      頂起-頂起
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