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    1. 具有極低導通電阻RDS(on) ISC025N08NM5LFATMA1、ISC035N10NM5LFATMA1、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET

      發布時間:2024-1-8 16:16    發布者:Mindy—mjd
      關鍵詞: MOSFET , ISC015N06NM5LFATMA1 , ISC035N10NM5LFATMA1 , ISC025N08NM5LFATMA1
      OptiMOS™ 5線性FET產品詳情:

      OptiMOS™ 5線性FET具有非常低的導通電阻和60V、80V或100V VDS。該產品組合包括1.55mΩ、2.55mΩ、3.5mΩ或11.3mΩ低導通電阻RDS(on)。這些器件采用TDSON-8FL或S3O8封裝,工作溫度范圍為-55°C至175°C。


      產品特點:
      極低導通電阻RDS(on)
      寬安全工作區 (SOA)
      N溝道,正常電平
      100%經雪崩測試
      無鉛電鍍,符合RoHS指令
      無鹵素,符合IEC61249-2-21標準



      應用:
      • 熱插拔
      • 電池保護
      電子保險絲


      產品屬性:

      1、ISC025N08NM5LFATMA1 N 通道 80V、2.55 毫歐、表面貼裝 TDSON-8
      FET 類型:N 通道
      技術:MOSFET(金屬氧化物)
      漏源電壓(Vdss):80 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):23A(Ta), 198A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.55 毫歐 @ 50A, 10V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 115μA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):96 nC @ 10 V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6800 pF @ 40 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):3W(Ta), 217W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL
      封裝/外殼:8-PowerTDFN



      2、ISC035N10NM5LFATMA1 100V、3.5毫歐、表面貼裝 TDSON-8 N-通道功率MOSFET
      FET 類型:N 通道
      技術:MOSFET(金屬氧化物)
      漏源電壓(Vdss):100 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):19A(Ta), 164A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.5 毫歐 @ 50A,10V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 115μA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):88 nC @ 10 V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7200 pF @ 50 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):3W(Ta), 217W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL
      封裝/外殼:8-PowerTDFN



      3、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET 60V、1.55 毫歐 TDSON-8
      FET 類型:N 通道
      技術:MOSFET(金屬氧化物)
      漏源電壓(Vdss):60 V
      25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):32A(Ta), 275A(Tc)
      驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
      不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.55 毫歐 @ 50A,10V
      不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.45V @ 120μA
      不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):113 nC @ 10 V
      Vgs(最大值):±20V
      不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):9000 pF @ 30 V
      FET 功能:-
      功率耗散(最大值):3W(Ta), 217W(Tc)
      工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      安裝類型:表面貼裝型
      供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL
      封裝/外殼:8-PowerTDFN

      明佳達電子、星際金華(供求)具有極低導通電阻RDS(on) ISC025N08NM5LFATMA1、ISC035N10NM5LFATMA1、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET ,如有興趣請聯系陳先生qq 1668527835 詳談。

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