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    1. SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

      發布時間:2024-1-10 15:43    發布者:VBsemi
      關鍵詞: SI4559EY-T1-E3 , VBsemi , mosfet
      SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)參數說明:N+P溝道,±60V,正向電流6.5A,反向電流5A,導通電阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),正負閾值電壓分別為±1.9V,封裝:SOP8。

      應用簡介:SI4559EY-T1-E3是一款雙溝道MOSFET,適用于高電壓和高電流應用,如電源開關、電機驅動、逆變器等領域模塊。


      SI4559EY-T1-E3.pdf

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      SI4559EY-T1-E3

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